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DS1314S-2+

发布时间2022-6-16 17:24:00关键词:DS1314S-2+
摘要

将CMOS SRAM转换为非易失性 记忆力 ? 在以下情况下无条件写保护SRAM VCC超出公差 ? 自动切换到备用电池 VCC电源故障时供电 ? 监控锂电池的电压,以及 提供即将到来的高级警告 电池故障

DS1314S-2

全新原装进口现货 价格优势合理

DS1314S-2+

? 将CMOS SRAM转换为非易失性

记忆力

? 在以下情况下无条件写保护SRAM

VCC超出公差

? 自动切换到备用电池

VCC电源故障时供电

? 监控锂电池的电压,以及

提供即将到来的高级警告

电池故障

? 信号低电池状态处于低激活状态

蓄电池警告输出信号

? 3.0V自动VCC电源故障检测

或3.3V电源

? 节省空间的8针DIP和SOIC封装

? 可选16针SOIC和20针TSSOP

电源故障时版本重置处理器

在期间发生并保持处理器复位

系统通电

? 工业温度范围为-40°C至

+85°C

带电池监视器的DS1314非易失性控制器是一种CMOS电路,解决了该应用

将CMOS RAM转换为非易失性存储器的问题。监测输入电源是否超出公差条件。当检测到这种情况时,禁止芯片启用以完成写入

保护和电池打开,为RAM提供不间断电源。特殊电路

采用低泄漏CMOS工艺,在极低电池电量下提供精确的电压检测

消耗

电源电压-较大: 3.6 V

电源电压-较小: 2.7 V

工作电源电流: 30 uA, 50 uA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOIC-8

封装: Tube

商标: Maxim Integrated

高度: 1.35 mm

长度: 4.8 mm

锂电池监视器: Yes

存储器通道数量: 1 Channel

工作电源电压: 3.3 V

产品类型: Memory Controllers

系列: DS1314S

100

子类别: Memory & Data Storage

类型: Non-Volatile SRAM (NVSRAM)

宽度: 3.8 mm

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