EPC2206
分立半导体晶体管
氮化镓极高的电子迁移率和低温系数使得
低RDS（on），而其横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的QG
零QRR。最终的结果是，这种设备可以处理开关频率非常高的任务，
与状态损失占主导地位的情况一样，低准时率也是有益的。
参数值单位
VDS漏极至源极电压（连续）80 V
我
D
连续（TA=25°C）90
A.
脉冲（25°C，t脉冲=300μs）390
VGS
门到源电压6
五、
门到源电压-4
TJ工作温度-40至150
°C
TSTG储存温度-40至150
参数类型单位
RθJC热阻，连接至外壳0.4
R°C/WθJB热阻，连接至电路板1.1
RθJA热阻，结对环境（注1）42
