SCT2H12NYTB分立半导体
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Tc）
驱动电压（较大 Rds On，较小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（较大值）
1.5 欧姆 @ 1.1A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（较大值）
4V @ 410μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（较大值）
14 nC @ 18 V
Vgs（较大值）
+22V，-6V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（较大值）
184 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（较大值）
44W（Tc）
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-268
封装/外壳
TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA
